La memoria de solo lectura, conocida también como ROM, es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente en su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM -en inglés, MROM- (el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, aun siendo descritos como "memoria de sólo lectura" (ROM). La razón de que se las continúe llamando así es que el proceso de reprogramación en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son más flexibles y económicos, por lo cual las antiguas máscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007.
Historia
Desarrollada por Toshiba, los diseñadores rompieron explícitamente con las prácticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros", más que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no volátil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los golpes, una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho más bajo.
Memoria de solo lectura conteniendo el BIOS de una vieja placa madre.
Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980 venían con todo su sistema operativo en ROM. No había otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualización a una nueva versión significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas operativos en general ya no van en ROM. Todavía los ordenadores pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es más frecuente que vaya en memoria flash. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash).
Uso para almacenamiento de datos
Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versión de máscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para la evaluación de funciones matemáticas y lógicas. Esto era especialmente eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era barata en comparación con la RAM. De hecho, una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los discos siguen siendo más lentos. Y lo que es aún más importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM.
No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propósito general, mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este puesto.
Velocidad de lectura
Aunque la relación relativa entre las velocidades de las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el año 2007 la RAM es más rápida para la lectura que la mayoría de las ROM, razón por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM, desde donde es leída cuando se utiliza.
Velocidad de escritura
Para los tipos de ROM que puedan ser modificados eléctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho más lenta que la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la más alta velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria simultáneamente, y llegando a 15 MB/s. La RAM tiene una capacidad máxima de 128 MB UCV.
Memoria PROM
PROM que significa «memoria de solo lectura programable». Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.
Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción con un multiplexor. A veces se preferían a las ROM porque son bipolares, habitualmente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.
Programación
Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de las fábricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El término read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).
Historia
La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la «División Arma», de la American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva York. La invención fue concebida a petición de la Fuerza aérea de los Estados Unidos, para conseguir una forma más segura y flexible para almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del MBI Atlas E/F.
La patente y la tecnología asociadas fueron mantenidas bajo secreto por varios años mientras el Atlas E/F era el principal misil de Estados Unidos. El término «quemar», refiriéndose al proceso de grabar una PROM, se encuentra también en la patente original, porque como parte de la implementación original debía quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para producir la discontinuidad del circuito. Las primeras máquinas de programación de PROMs también fueron desarrolladas por ingenieros de la División Arma bajo la dirección del Sr. Chow y fueron ubicados el laboratorio Arma de Garden City, y en la jefatura del Comando estratégico aéreo de las Fuerzas Aéreas.
MEMORIA EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).
Características
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROM normales como a las EPROM incluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROM y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor de la BIOS, su revisión y una advertencia de copyright.
Borrado de un EPROM
Una memoria EPROM puede ser borrada con una lámpara de luz UV, del tipo UV-C, que emita radiación en torno a los 2537 Å (Angstrom) o 254nm, a una distancia de unos 2,5 cm de la memoria. La radiación alcanza las células de la memoria a través de una ventanilla de cuarzo transparente situada en la parte superior de la misma.
Para borrar una EPROM se necesita que la cantidad de radiación recibida por la misma se encuentre en torno a los 15 W/cm^2 durante un segundo. El tiempo de borrado real suele ser de unos 20 minutos debido a que las lámparas utilizadas suelen tener potencias en torno a los 12 mW/cm² (12 mW x 20 x 60 s = 14.4 W de potencia suministrada). Este tiempo también depende del fabricante de la memoria que se desee borrar. En este tiempo todos sus bits se ponen a 1.
Es importante evitar la sobreexposición del tiempo de radiación a las EPROM; es decir, la potencia luminosa suministrada a la memoria, pues se produce un envejecimiento prematuro de las mismas.
Debido a que la radiación solar e incluso la luz artificial proveniente de tubos fluorescentes borran la memoria lentamente (de una semana a varios meses), es necesario tapar dicha ventanilla con una etiqueta opaca que lo evite, una vez que son grabadas.
Se debe aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ahí que por muy pequeña que fuese la eventual modificación a realizar en su contenido, inevitablemente se deberá borrar y reprogramar en su totalidad.
Borrador de EPROM
Un borrador de EPROM es un caja opaca ópticamente, con una fuente de luz UV del tipo C, la cual también es utilizada para esterilizar instrumentos quirúrgicos y/o como germicida.
Lámpara borradora de EPROM.
Para borrar las EPROM no se puede utilizar las luz "UV Negra", (que es comúnmente utilizada para verificar billetes, tickets, etc.), que emiten en la región UV-A, (365 nm). La única luz que funciona es la UV-C, (254 nm), la cual emite "luz peligrosa" o "germicida", (mata gérmenes). Es "luz peligrosa" porque la exposición prolongada puede causar cataratas a largo plazo y daño en la piel; sin embargo una exposición breve, unos 5 segundos continuos en la piel, no debería de causar más que una leve resequedad, por lo que es necesario tomar todas las precauciones para evitar estos problemas. Dado que este tipo de luz UV-C se encuentra en la luz solar, si se deja una EPROM directamente bajo ésta, en algunos días o semanas se borraran; por lo que se requiere proteger las EPROM una vez se hayan programado.
Se puede utilizar una lámpara de tubo normal de 4 W del tipo F4T5 (4 watt, 5 pulgadas) que da luz blanca (ver foto). También un tubo de luz G4T5 "Germicidal UVC", que tiene el vidrio claro, para borrar las EPROM. La "G" es para germicidas, lo mismo que la "F" es para fosforescentes (aunque no tengan fósforo). Otro tipo de lámpara comúnmente utilizada es la PHILIPS TUV 4W-G4T5-240805D-4WTUV.
Circuito simple para borrador de EPROM, (se le puede agregar temporizador).
Las lámparas UV que tienen el vidrio morado o lila son para el espectro UV-Visible o "UV Negra", normalmente están marcadas como U4T5 o similar y no funcionan para borrar las EPROM.
Un tubo de luz fluorescente de luz blanca, tiene una cubierta de fósforo en el interior del vidrio. La Luz UV del mercurio excita el fósforo, el cual re-radia la energía en el rango visible. Las lámparas UV para borradores de EPROM o germicidas usan directamente la luz del vapor de mercurio. El vidrio se debe de hacer de cuarzo, en lugar de vidrio ordinario, para evitar que el vidrio absorba la mayor parte de los rayos UV. El cuarzo es más transparente en las longitudes UV del mercurio.
También podrían ser borrados si son expuestos a la luz de la soldadura eléctrica (de electrodo), con el riesgo que una chispa queme el chip, debido a que se debe de acercar la EPROM como a unos 10 o 15 cm para que reciban la suficiente radiación para borrarlos. En teoría también se pueden borrar con rayos X, "tomando radiografías del EPROM", el tiempo de borrado dependerá de la calibración/emisión del equipo de rayos X utilizado.
Diferencia entre Eprom C y No-C
La única diferencia entre los 27256 y los 27C256 es que los 27256 usan NMOS mientras los 27C usan tecnología CMOS. CMOS sólo consume potencia apreciable cuando una señal está cambiando. NMOS usa canal N FET's con elementos resistores, mientras CMOS evita las resistencias que desperdician energía por utilizar ambos canales N y P FET. Además los CMOS evitan la producción de calor, permitiendo arreglos más compactos de transistores de los que los NMOS son capaces. La alta densidad de elementos de los CMOS reduce las distancias de interconexión lo cual incrementa la velocidad. Además CMOS brilla cuando hay una cantidad limitada de energía como cuando se utiliza un sistema alimentado por baterías.
Se presentan algunos problemas en las EPROM CMOS usando programadores viejos, debido a a las diferencias en los voltajes de programación, (CMOS tiene 12,5 Vpp). EPROM CMOS también requieren una fuente de voltaje, (Vcc), de exactamente 6 Voltios. CMOS son fáciles de borrar pero tienden a morir si son sobre expuestos a la luz UV.
MEMORIA EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrada eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.
MEMORIA FLASH
La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la
lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias
a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite
velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM
primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada
operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los
dispositivos denominados memoria USB.
Historia
La historia de la memoria flash siempre ha estado muy
vinculada con el avance del resto de las tecnologías a las que presta sus
servicios como routers, módems, BIOS de los
PC, wireless,
etc. Fue Fujio Masuoka en 1984, quien
inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes
por aquel entonces. Intel intentó atribuirse la creación de esta sin éxito,
aunque si comercializó la primera memoria flash de uso común.
Entre los años 1994 y 1998, se desarrollaron los principales
tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o
la CompactFlash.
La tecnología pronto planteó aplicaciones en otros campos. En 1998, la compañía
Rio comercializó el primer Reproductor de audio digital sin
piezas móviles aprovechando el modo de funcionamiento de la memoria flash. Este
producto inauguraría una nueva clase de reproductores que causarían una
revolución en la industria musical llevando al escándalo Napster, el
lanzamiento del iPod y
el eventual reemplazo de los reproductores de cinta y CD.
En 1994 SanDisk comenzó a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash)
basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolución ha llegado a pequeños
dispositivos de mano de la electrónica de consumo como reproductores de MP3
portátiles, tarjetas de memoria para vídeo consolas y teléfonos móviles,
capacidad de almacenamiento para las PC Card que
permiten conectar a redes inalámbricas y un largo etcétera, incluso llegando a
la aeronáutica espacial.
Generalidades
Económicamente hablando, el precio en el mercado cumple
la ley
de Moore aumentando su capacidad y disminuyendo el precio.
Algunas de sus ventajas son una gran resistencia a los
golpes, gran velocidad, bajo consumo de energía y un funcionamiento silencioso,
ya que no contiene actuadores mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño
también es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo
portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que
está orientado. En vista de ello, comienzan a popularizarse los discos SSD que
usan memoria flash en lugar de platos.
Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten
un número limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un
millón, dependiendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y
del voltaje necesario para su borrado. Además su relación costo capacidad es
menos favorable respecto a otros medios como los discos ópticos y los discos duros
.
Este tipo de memoria está fabricado con puertas
lógicas NOR y NAND para almacenar los 0s ó 1s
correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre los
fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de
ficheros para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas
en ORNAND.
Los sistemas de ficheros para estas memorias están en pleno
desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente
para NOR, evolucionado a JFFS2 para
soportar además NAND o YAFFS, ya en su
segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de
ficheros FAT por
compatibilidad, sobre todo en las unidades de memoria extraíble.
Otra característica ha sido la resistencia térmica de
algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales
de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura
como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca
desde los -25 °C hasta los 85 °C.
Las aplicaciones más habituales son:
El llavero USB que, además del almacenamiento, puede
incluir otros servicios como, lector de huella digital, radio FM, grabación de
voz y, sobre todo como reproductores portátiles deMP3 y otros formatos
de audio.
Las PC Card (descontinuado.)
Las tarjetas de memoria flash que son usadas
para almacenar fotos y videos en las cámaras digitales. También son comunes en
los teléfonos móviles y tabletas para ampliar la capacidad de almacenamiento.
Existen varios estándares de encapsulados promocionados y
fabricados por la mayoría de las multinacionales dedicadas a la producción de
hardware. Los más comunes hoy en día sonSecure
Digital, Compact Flash, y Memory
Stick.
Acceso a bajo nivel
Flash, como tipo de EEPROM que es,
contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado
con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información.
Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel,
pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que
almacenan.
Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un
transistor NMOS con
un conductor (basado en un óxido metálico) adicional localizado o entre la
puerta de control (CG – Control Gate) y los terminales fuente/drenador
contenidos en otra puerta (FG – Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo
los electrones que almacenan la información.
Memoria flash de tipo NOR
Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NOR
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG
(Floating Gate), modifican (prácticamente anulan) el campo
eléctrico que generaría CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta
forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la
celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado
voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje
almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e
interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los
dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente
para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos
adecuadamente.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor
determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al
terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los
electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se
llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado natural
del transistor)
el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica
de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico.
Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los
electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que
permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo.
Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un
conductor tan delgado un voltaje tan alto.
Es necesario destacar que las memorias flash están
subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para
el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la
parte más lenta del proceso. Por esta razón, las memorias flash son mucho más
rápidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No
obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para
después reescribir su contenido.
Memorias flash de tipo NAND
Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NAND
Las memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente:
usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de
‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en
otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces de más
resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más
orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash
basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio.
Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo
de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se
borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la
creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias
USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de
tipo NAND.
Comparación de memorias flash tipo NOR y NAND
Para comparar estos tipos de memoria se consideran los
diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.
La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente
bastante mayor en las memorias NAND.
El costo de NOR es mucho mayor.
El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a
bloques para su modificación.
En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo
bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben
modificar bloques o palabras completas.
La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns)
frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página +
50 ns por byte).
La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte
frente a 200 µs por página en NAND.
La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de
64 KB frente
a los 2 ms por
bloque de 16 KB en NAND.
La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es
realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco
tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que
requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques
marcados como erróneos e inservibles.
En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos
pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la
necesidad imperiosa de un buen sistema de ficheros. Dependiendo de qué sea lo
que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo.
Antecedentes de la memoria flash
Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del
mundo de la computación. Conviene recordar los tipos de memorias de
semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas
sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.
Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres
categorías si las clasificamos en función de las operaciones que podemos
realizar sobre ellas, es decir, memorias de sólo lectura, memorias de sobre todo
lectura y memorias de lectura/escritura.
REFERENCIAS
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